AEC-Q101 certifieringstest för halvledardiskreta enheter

AEC-Q101 certifieringstest för halvledardiskreta enheter
Detaljer:
AEC-Q101 har sorterat ut fordonets tillförlitlighetskrav för olika diskreta halvledarenheter. AEC-Q101-testet fungerar inte bara som en rapport som kan användas över hela världen om komponenternas tillförlitlighet, utan också som ett språngbräda till leveranskedjan ombord. Med rik praktisk erfarenhet av AEC-Q-certifiering av SiC tredje generationens halvledarenheter, är GRG Test kompetent att tillhandahålla pr.
Skicka förfrågan
Hämta
Beskrivning
Tekniska parametrar
PRODUKTBESKRIVNING

 

Eftersom tekniken har utvecklats i en andlös takt, har alla typer av halvledarkraftenheter nu gått in i ett stadium av kommersiell tillämpning från laboratoriestadiet. Detta gäller särskilt för tredje generationens halvledarenheter som representeras av SiC-- de har påskyndat lokaliseringsprocessen. Marknaden för diskreta fordonsenheter har dock kontrollerats av utländska jättar, vilket gör det svårt för inhemska enheter att få en del av handlingen. Och en av huvudorsakerna till ett sådant fenomen är att tillförlitligheten hos våra produkter inte är välkänd.

 

Testcykel

 

2-3 månader, under vilka en omfattande certifieringsplan, testning och andra tjänster kommer att tillhandahållas

 

Produktens omfattning

 

Diskreta halvledarenheter som diod, triod, transistor, MOS, IBGT, TVS-rör, Zener och tyratron

 

Testföremål

 

S/N

Testartikeln

Förkortning

Provnummer/batch

Batchnummer

Testmetod

1 Elektriskt och fotometriskt test före och efter stress TESTA

Testa före och efter alla stresstester

Användarspecifikationer eller leverantörens standardspecifikationer

2 Förkonditionering PERSONDATOR

Förbehandla SMD-produkter före test 7, 8, 9 och 10

JESD22-A113
3 Extern visuell EV

Testa före och efter varje test

JESD22-B101
4 Parametrisk verifiering PV 25 3 Anmärkning A

Användarspecifikationer

5 Hög temperatur
Omvänd fördom
HTRB (på engelska) 77 3 Anmärkning B MIL-STD-750-1
M1038 Metod A
5a AC blockering
Spänning
ACBV (ACBV) 77 3 Anmärkning B MIL-STD-750-1
M1040 testvillkor A
5b Hög temperatur
Bias framåt
HTFB 77 3 Anmärkning B JESD22
A-108
5c Stabilt läge
Operativ
SSOP (SSOP) 77 3 Anmärkning B MIL-STD-750-1
M1038 skick B (zeners)
6 Hög temperatur
Gate Bias
HTGB (på engelska) 77 3 Anmärkning B JESD22
A-108
7 Temperatur
Cykling
TC 77 3 Anmärkning B JESD22
A-104
Bilaga 6
7a Temperatur
Cykling Hot Test
TCHT 77 3 Anmärkning B JESD22
A-104
Bilaga 6
7a
alt
TC Delaminering
Testa
TCDT (TCDT) 77 3 Anmärkning B JESD22
A-104
Bilaga 6
J-STD-035
7b Wire Bond Integritet WBI (Västra Göta 5 3 Anmärkning B MIL-STD-750
Metod 2037
8 Opartisk mycket
Accelererad stress
Testa
UHAST 77 3 Anmärkning B JESD22
A-118
8
alt
Autoklav AC 77 3 Anmärkning B JESD22
A-102
9 Mycket accelererad
Stresstest
HAST 77 3 Anmärkning B JESD22
A-110
9
alt
Hög luftfuktighet
Hög temperatur.
Omvänd fördom
H3TRB (H3TRB) 77 3 Anmärkning B JESD22
A-101
10 Intermittent
Driftliv
IOL 77 3 Anmärkning B MIL-STD-750
Metod 1037
10
alt
Kraft och
Temperaturcykel
PTC (PTC) 77 3 Anmärkning B JESD22
A-105
11 ESD
Karakterisering
ESD 30 Bm 1 AEC-Q101-001
30 CDM 1 AEC-Q101-005
12 Destruktiv
Fysisk analys
DPA 2 1 anmärkningB AEC-Q101-004
Avsnitt 4
13 Fysisk
Dimensionera
PD 30 1 JESD22
B-100
14 Terminal styrka TS 30 1 MIL-STD-750
Metod 2036
15 Motstånd till
Lösningsmedel
RTS 30 1 JESD22
B-107
16 Konstant acceleration CA 30 1 MIL-STD-750
Metod 2006
17 Vibrationsvariabel
Frekvens
VVF (VVF)

Punkterna 16 till 19 är sekventiella tester av förseglade förpackningar. (Se not H på förklaringssidan.)

JEDEC (JEDEC)
JESD22-B103
18 Mekanisk
Chock
FRÖKEN     JEDEC (JEDEC)
JESD22-B104
19 Hermeticitet HENNE     JESD22-A109
20 Motstånd till
Löd värme
RSH 30 1 JESD22
A-111 (SMD)
B-106 (PTH)
21 Lödbarhet SD 10 1 Anmärkning B J-STD-002
JESD22B102
22 Termisk
Motstånd
TR 10 1 JESD24-3,24-4,26-6 Beror på situationen
23 Tråd Bindning
Styrka
WBS

10 lödtrådar för minst 5 enheter

1 MIL-STD-750
Metod 2037
24 Bondskjuvning BS 10 lödtrådar för minst 5 enheter 1 AEC-Q101-003
25 Dyna Skjuvning DS 5 1 MIL-STD-750
Metod 2017
26 Oklämd
Induktiv
Växlande
UIS 5 1 AEC-Q101-004
Sektion 2
27 Dielektrisk integritet TVE 5 1 AEC-Q101-004
Avsnitt 3
28 Kortslutning
Pålitlighet
Karakterisering
SCR 10 3 Anmärkning B AEC-Q101-006
29 Blyfri LF     AEC-Q005

 

 

Populära Taggar: aec-q101 certifieringstest för halvledardiskreta enheter, Kina aec-q101 certifieringstest för halvledardiskreta enheter tjänsteleverantör, Misslyckande analys för att förhindra framtida fel, Frakturfelanalys, Misslyckande analys i tjänstebranschen, Misslyckande analys inom logistikindustrin, Felanalys för att marknadsföra produkter, Misslyckande analys för att förbättra produktfunktionerna

Skicka förfrågan